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| 溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶 | |
| 引用本文： | 朱蔚雯,王渭源.溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶[J].半导体学报,1986,7(3):327-330. |
| 作者姓名： | 朱蔚雯 王渭源 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (朱蔚雯)，中国科学院上海冶金研究所(王渭源) |
| 摘 要： | 本文首次报道了溅射GaAs SOI电子束退火再结晶以及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶.对实验所得SOI样品,用ED和TEM分析GaAs 薄膜的结晶性,用X-射线衍射测量薄膜表面的择优取向,用霍耳效应测量定出载流子浓度和迁移率. |
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