| 基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型 |
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| 引用本文： | 李瑞贞,韩郑生.基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型[J].功能材料与器件学报,2006,12(1):67-70. |
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| 作者姓名： | 李瑞贞 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.
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| 关 键 词： | SOI MOSFET 物理模型 参数提取 SOI MOSFET physical model parameters extraction |
| 文章编号： | 1007-4252(2006)01-0067-04 |
| 修稿时间： | 2005年4月8日 |
Analytical model of partially depleted SOI MOSFET based on BSIM3V3 |
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| LI Rui-zhen,HAN Zheng-sheng.Analytical model of partially depleted SOI MOSFET based on BSIM3V3[J].Journal of Functional Materials and Devices,2006,12(1):67-70. |
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| Authors: | LI Rui-zhen HAN Zheng-sheng |
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| Abstract: | A physical model of partially depleted SOI MOSFET was proposed.The SOI MOSFET can be regarded as the combination of bulk silicon MOSFET and bipolar transistor.The model is obtained through detailed analysis of operation mechanism of SOI devices.The model parameters are extracted.The data obtained from this analytical model are compared with device simulation.Excellent agreement is obtained. |
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| Keywords: | SOI MOSFET physical model parameters extraction |
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