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电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶
引用本文:肖素红,郭敬东,吴世丁,何冠虎,李守新. 电脉冲处理下疲劳铜单晶的再结晶[J]. 金属学报, 2002, 38(2): 161-165
作者姓名:肖素红  郭敬东  吴世丁  何冠虎  李守新
作者单位:中国科学院金属研究所,沈阳,110016;中国科学院金属研究所,沈阳,110016;中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳,110016
基金项目:国家自然科学基金59931020资助项目
摘    要:对疲劳后的[1^-23]铜单晶体进行高电流密度脉冲处理可以形成多边形与椭圆形两种再结晶晶粒,晶粒尺寸分别为7.2-8.8μm和5.3-8.0μm。高电流密度脉冲处理造成的位错湮没会增大局部位错分布不均匀区域的位错密度梯度,从而形成再结晶的晶核,由于脉络结构分布均匀,在这一区域形成的再结晶晶粒没有明显的方向性,而在驻留滑移带处于脉冲电流处理的局部温升,增加了位错运动的可能性,导致再结晶晶粒之间间隔一定距离,由于电脉冲作用时间很短,晶粒没有足够的时间长大,从而形成晶粒尺寸较小的再结晶晶粒。

关 键 词:铜单晶  疲劳  再结晶  脉冲电流
文章编号:0412-1961(2002)02-0161-05
修稿时间:2001-07-17

RECRYSTALLIZATION OF FATIGUED COPPER SINGLE CRYSTALS UNDER ELECTROPULSING
XIAO Suhong,GUO Jingdong,WU Shiding,HE Guanhu,LI Shouxin. RECRYSTALLIZATION OF FATIGUED COPPER SINGLE CRYSTALS UNDER ELECTROPULSING[J]. Acta Metallurgica Sinica, 2002, 38(2): 161-165
Authors:XIAO Suhong  GUO Jingdong  WU Shiding  HE Guanhu  LI Shouxin
Abstract:
Keywords:copper single crystal   fatigue   recrystallization   electropulsing
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