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| 专利技术 | |
| 摘 要： | 一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013-03-27申请(专利权)人:天津大学摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200 nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%~8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5~25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基 |
| 关 键 词： | 气体传感器 腐蚀电流密度 单面抛光 单晶硅片 多孔硅 磁控溅射 真空室 孔径尺寸 气体分离膜 腐蚀液 |
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