用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质 |
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引用本文: | 钱毅,郑婉华,郑联喜,张霞,胡雄伟,陈良惠,王启明.用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质[J].半导体学报,1994,15(4):289-294. |
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作者姓名: | 钱毅 郑婉华 郑联喜 张霞 胡雄伟 陈良惠 王启明 |
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摘 要: | 本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同的选择性.这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利.用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究.结果不仅证明了MOCVD外延生长GaAs和Al0.4Ga0.6As的独特选择性,也证明了在V字形沟槽底形成了量子线.
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