| UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性 |
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| 引用本文： | 黄文韬,陈长春,刘志农,邓宁,刘志弘,陈培毅,钱佩信.UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性[J].微电子学,2004,34(4):418-420,424. |
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| 作者姓名： | 黄文韬 陈长春 刘志农 邓宁 刘志弘 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2002AA3Z1230) |
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| 摘 要： | 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV／CVD)设备,研究了在550℃下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等务件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。
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| 关 键 词： | UHV／CVD 多晶锗硅 快速热退火 成核时间 外延 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)04-0418-03 |
UHV/CVD Poly-SiGe and Its Electrical Properties |
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| HUANG Wen-tao,CHEN Chang-chun,LIU Zhi-nong,DENG Ning,LIU Zhi-hong,CHEN Pei-yi,QIAN Pei-xin.UHV/CVD Poly-SiGe and Its Electrical Properties[J].Microelectronics,2004,34(4):418-420,424. |
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| Authors: | HUANG Wen-tao CHEN Chang-chun LIU Zhi-nong DENG Ning LIU Zhi-hong CHEN Pei-yi QIAN Pei-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UHV/CVD Poly-SiGe Incubation time Selective epitaxy Rapid thermal annealing |
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