|
|||||
|
|
| 铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属 | |
| 作者姓名： | 要美娜 杨贤金 崔振铎 朱胜利 李朝阳 梁砚琴 |
| 作者单位： | 天津大学 材料科学与工程学院, 先进金属功能材料实验室 天津 300350 |
| 基金项目： | 天津市自然科学基金(15JCQNJC03600) Tianjin Natural Science Foundation Project (15JCQNJC03600) |
| 摘 要： | 镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电极(Activated BFE)上对低浓度μg/L水平的Cd(II)进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性, 然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进, 从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性。对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中, 对检测Cd2+的实验参数进行了研究。使用选定的条件, 在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1 μg/L。 |
| 关 键 词： | 铋膜 阳极溶出伏安法 化学修饰电极 电化学检测 镉离子 |
| 收稿时间： | 2018-04-19 |
| 修稿时间： | 2018-08-22 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《无机材料学报》下载全文 | |