| 加热处理的SiC-C涂层注H~+前后表面形貌及其Si分布的研究 |
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| 引用本文： | 杜良,曾俊辉,张东,杜纪富,杨淑勤,任丁,刘宁,黄宁康.加热处理的SiC-C涂层注H~+前后表面形貌及其Si分布的研究[J].表面技术,2009,38(1). |
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| 作者姓名： | 杜良 曾俊辉 张东 杜纪富 杨淑勤 任丁 刘宁 黄宁康 |
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| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900
2. 四川大学720所辐射物理与技术教育部重点实验室,四川,成都,610064 |
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| 摘 要： | 为了提高放射性废物包装用的不锈钢材料的阻氚性能, 采用离子束混合技术在不锈钢表面沉积低Z材料的SiC-C涂层, 对50%SiC-C涂层进行不同条件的加热处理以及随后进行的剂量为1×1018/cm2H+的注入,研究涂层微观结构的变化,该研究为涂层的实际使用提供科学依据.研究结果表明:离子束混合沉积在不锈钢基体上的50%SiC-C涂层经加热处理后会发生涂层元素的扩散迁移. 随着加热温度的提高,发生颗粒凝聚晶化现象; 氢离子注入会产生非晶化效应,同时导致涂层元素Si向表面及界面的增强迁移.
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| 关 键 词： | SiC-C涂层 离子注入 表面形貌 Si深度分布 |
The Morphology and Si Depth Profile for the Heat-treated SiC-C Coatings before and after H~+ Ion Implantation |
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| DU Liang,ZENG Jun-hui,ZHANG Dong,Du Ji-fu,YANG Shu-qin,REN Ding,LIU Ning,HUANG Ning-kang.The Morphology and Si Depth Profile for the Heat-treated SiC-C Coatings before and after H~+ Ion Implantation[J].Surface Technology,2009,38(1). |
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| Authors: | DU Liang ZENG Jun-hui ZHANG Dong Du Ji-fu YANG Shu-qin REN Ding LIU Ning HUANG Ning-kang |
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| Affiliation: | DU Liang1,ZENG Jun-hui1,ZHANG Dong1,Du Ji-fu2,YANG Shu-qin2,REN Ding2,LIU Ning2,HUANG Ning-kang2(1.The Nuclear Physics , Chemistry Institute,the China Academy of Engineering , Physics,Mianyang 621900,China,2.Key Lab for Radiation Physics , Technology of Education Ministry of China,Institute of Nuclear Science , Technology,Sichuan University,Chengdu 610064,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC-C coatings Ion implantation Surface morphology Si depth profile |
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