| 裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究 |
| |
| 引用本文： | 李安利 罗起. 裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1998, 21(2): 102-104 |
| |
| 作者姓名： | 李安利 罗起 |
| |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 |
| |
| 摘 要： | ![]()
采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。
|
| 关 键 词： | 裂变 快中子辐照 缺陷 正电子湮没 砷化镓 |
Positron annihilation study of defects in fission neutron irradiated GaAS |
| |
| LI Anli LUO Qi FAN Zhiguo ZHENG Shengnan GOU Zhenhui WANG Chunrui QIAN Jiayu ZHU Shengyun. Positron annihilation study of defects in fission neutron irradiated GaAS[J]. Nuclear Techniques, 1998, 21(2): 102-104 |
| |
| Authors: | LI Anli LUO Qi FAN Zhiguo ZHENG Shengnan GOU Zhenhui WANG Chunrui QIAN Jiayu ZHU Shengyun |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | GaAs Fission fast neutron irradiation Defects Annealing Positron annihilation |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
