氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器 |
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引用本文: | 颜伟年,王秋华,周亨杰,邱平平,赵玲娟,阚强.氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器[J].激光与光电子学进展,2023(15):233-240. |
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作者姓名: | 颜伟年 王秋华 周亨杰 邱平平 赵玲娟 阚强 |
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作者单位: | 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院;3. 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(62134008); |
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摘 要: | 为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱,并开展了增益-腔模失配设计。在设计优化的基础上,制备了6种氧化孔径的940 nm VCSEL,对其光电输出特性进行测试。结果表明:氧化孔径为4μm的VCSEL,室温下斜率效率为0.93 W/A,最大功率转换效率为40.1%;氧化孔径为7μm的VCSEL,室温下最大输出功率为12.24 mW;氧化孔径为2μm的VCSEL,室温下最大基横模功率为2.67 mW。该器件在2 mA连续驱动电流下,在10~80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出。
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关 键 词: | 激光器 垂直腔面发射激光器 氧化限制结构 基横模 孔径 |
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