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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
淀积参数对ITO膜电阻率的影响
作者姓名:
张怀武
许武毅
过壁君
作者单位:
电子科技大学90B,成都610054
摘 要:
本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。
关 键 词:
半导体膜 氧化铟锡 电阻率 淀积
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