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淀积参数对ITO膜电阻率的影响
作者姓名:张怀武  许武毅  过壁君
作者单位:电子科技大学90B,成都610054
摘    要:
本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。

关 键 词:半导体膜 氧化铟锡 电阻率 淀积
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