| GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱 |
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| 作者姓名： | 梁晓甘 江德生 边历峰 潘钟 李联合 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格微结构国家重点实验室,北京,100083;2. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院科技项目;29890217; |
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| 摘 要： | 研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.
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| 关 键 词： | 氮化物 光致发光 光调制反射 量子阱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)12-1281-05 |
| 修稿时间： | 2002-04-04 |
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