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| 连续CVD反应炉中SiO_2薄膜淀积 | |
| 引用本文： | 刘友声,林天伦,吴金钟,王富友.连续CVD反应炉中SiO_2薄膜淀积[J].半导体技术,1983(6). |
| 作者姓名： | 刘友声 林天伦 吴金钟 王富友 |
| 作者单位： | 北京市半导体器件三厂 (刘友声，林天伦，吴金钟)，北京市半导体器件三厂(王富友) |
| 摘 要： | 一、引言 在半导体器件工艺中,普遍采用CVD(化学汽相淀积)方法生长掺杂或不掺杂的SiO_2薄膜,作为器件表面的钝化层、掺杂的SiO_2固态扩散源和多层布线中的绝缘介质层等。与此相应的各种淀积SiO_2薄膜的CVD反应炉也相继出现。由于结构简单,钟罩式旋转反应炉首先广泛应用于实际生产工艺中。图1(α)是一种典型的钟罩式旋转反应炉的示意图,钟罩高度约25cm到40cm间,钟罩内加热的合金铝盘上方形成一个反应空间,被淀积的硅片置于加热的合金铝盘上,铝盘可绕轴旋转。当SiH_4和O_2由钟罩顶部进入反应区时产生大致如下的化学反应: |
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