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| MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真 | |
| 引用本文： | 陈慧凯,邢建平.MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真[J].山东工业大学学报,2002,32(5):476-479. |
| 作者姓名： | 陈慧凯 邢建平 |
| 摘 要： | 使用TSUPREM－4二维集成电路工艺仿真系统对P－MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为，提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。 |
| 关 键 词： | MOSFET 栅氧化过程 界面分凝 二维工艺仿真 计算机辅助设计 计算机模拟 集成电路 |
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