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| 变温长波碲镉汞光电导现象研究 | |
| 引用本文： | 郑为建,朱惜辰.变温长波碲镉汞光电导现象研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):189-194. |
| 作者姓名： | 郑为建 朱惜辰 |
| 作者单位： | 昆明物理所 |
| 摘 要： | 报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｌ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据，实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０＾１５ｃｍ＾－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长江红外高背景辐射的结果。 |
| 关 键 词： | HgCdTe 光电导 背景辐射 光电子学 |
STUDY OF LWIR PHOTOCONDUCTIVE PHENOMENON OF MCT AT DIFFERENT TEMPERATURE |
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| Zheng Weijian,Zhu Xichen,Liang Hongling,Beo Hongzhen.STUDY OF LWIR PHOTOCONDUCTIVE PHENOMENON OF MCT AT DIFFERENT TEMPERATURE[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(3):189-194. | |
| Authors: | Zheng Weijian Zhu Xichen Liang Hongling Beo Hongzhen |
| Abstract: | |
| Keywords: | mercury cadmium telluride photoconductivity background radiation |
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