| 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理 |
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| 引用本文： | 张苗,狄增峰,刘卫丽,骆苏华,宋志棠,朱剑豪,林成鲁.改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理[J].半导体学报,2006,27(13):252-256. |
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| 作者姓名： | 张苗 狄增峰 刘卫丽 骆苏华 宋志棠 朱剑豪 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;香港城市大学，香港;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室，上海 200050 |
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| 摘 要： | 对Ge浓缩技术进行改进，通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火，成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料. 实验结果表明：顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失，退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布，同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集. 在高温条件（1150℃）下制备的SGOI材料应力完全释放，几乎没有引入位错.
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| 关 键 词： | SiGe-on-insulator 氧化 扩散 |
Mechanism in SiGe-on-Insulator Fabricated by Modified Ge-Condensation Technique |
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| Zhang Miao,Di Zengfeng,Liu Weili,Luo Suhu,Song Zhitang,Chu Paul K and Lin Chenglu.Mechanism in SiGe-on-Insulator Fabricated by Modified Ge-Condensation Technique[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):252-256. |
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| Authors: | Zhang Miao Di Zengfeng Liu Weili Luo Suhu Song Zhitang Chu Paul K and Lin Chenglu |
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| Affiliation: | Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Department of Physics and Material Science,City University of Hong Kong,Hong Kong,China;Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology,State Key Laboratory ofFunctional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe-on-insulator oxidation diffusion |
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