| 0．8μm SOI CMOS技术及电路研制 |
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| 引用本文： | 孙锋,陶建中,肖志强,洪根深,薛忠杰,黄嵩人.0．8μm SOI CMOS技术及电路研制[J].电子与封装,2006,6(8):1-5. |
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| 作者姓名： | 孙锋 陶建中 肖志强 洪根深 薛忠杰 黄嵩人 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团第五十八研究所,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。
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| 关 键 词： | SOI CMOS SIMOX 总剂量效应 |
| 文章编号： | 1681-1070（2006）08-0001-05 |
| 收稿时间： | 2006-06-07 |
| 修稿时间： | 2006年6月7日 |
0.8μm SOI CMOS Technology and IC Production |
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| SUN Feng,TAO Jian-zhong,XIAO Zhi-qiang,HONG Gen-shen,XUE Zhong-jie,HUANG Song-ren.0.8μm SOI CMOS Technology and IC Production[J].Electronics & Packaging,2006,6(8):1-5. |
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| Authors: | SUN Feng TAO Jian-zhong XIAO Zhi-qiang HONG Gen-shen XUE Zhong-jie HUANG Song-ren |
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| Abstract: | SOI CMOS technology is used in some special application field,and it has many ascendancy.We are succeed in making good IC what has high anti-radiation capability of using SIMOX and 0.8μm SOI CMOS technics.In last we give a change relation of SOl CMOS IC's identity with relation dosage. |
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| Keywords: | SOI CMOS SIMOX |
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