| 成膜与热处理参数对溅射沉积ITO 膜电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 张浩康,邓一唯.成膜与热处理参数对溅射沉积ITO 膜电性能的影响[J].电子器件,2003,26(4):441-443. |
| |
| 作者姓名： | 张浩康 邓一唯 |
| |
| 作者单位： | 东南大学电子工程系,南京,210096 |
| |
| 摘 要： | 采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜，在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺。对制备的ITO薄膜进行了退火热处理，研究不同温度热处理后膜的方块阻值的变化。实验表明，对一定的基片加热温度，ITO膜的方块电阻与溅射气氛中的补氧流量有关，并存在一个最佳补氧的值，在该条件下制备ITO的方块电阻最小，在膜厚为40nm埃时仅有不到100Ω／□。影响溅射沉积ITO透明导电薄膜方阻的，除了溅射沉积时基片的烘烤温度和补氧流量外，还包括后期大气退火热处理的温度。
|
| 关 键 词： | ITO膜 直流磁控反应溅射 热处理 |
| 文章编号： | 1005-9490(2003)04-0441-03 |
| 修稿时间： | 2003年7月10日 |
Effect of Filming and Heat Treatment Parameter on Electronic Performance of Sputtered ITO Films |
| |
| ZHANG Hao-kang,DENG Yi-wei.Effect of Filming and Heat Treatment Parameter on Electronic Performance of Sputtered ITO Films[J].Journal of Electron Devices,2003,26(4):441-443. |
| |
| Authors: | ZHANG Hao-kang DENG Yi-wei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ITO film DC magnetism reactive sputtering technology heat treatment |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
