| 一种高维持电压的LVTSCR |
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| 引用本文： | 陈龙,李健儿,廖楠,徐银森,冯勇,刘继芝,徐开凯,赵建明.一种高维持电压的LVTSCR[J].微电子学,2022,52(1):87-90, 97. |
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| 作者姓名： | 陈龙 李健儿 廖楠 徐银森 冯勇 刘继芝 徐开凯 赵建明 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610054;四川上特科技有限公司, 四川 遂宁 629299;四川蓝彩电子科技有限公司, 四川 遂宁 629000;四川遂宁市利普芯微电子有限公司, 四川 遂宁 629299 |
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| 基金项目： | 四川省科学技术厅资助项目(2019ZHCG0061,18ZHSF0117,2020ZHCG0008) |
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| 摘 要： | 对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应。为解决闩锁问题,对传统LVTSCR进行了改进,通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层,使器件触发后的电流流通路径发生改变,降低了衬底内积累的空穴数量,从而抑制了LVTSCR的电导调制效应,增加了维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明,在不增加额外面积的条件下,改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V,能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生。
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| 关 键 词： | 低压触发可控硅 静电放电 高维持电压 埋层 |
| 收稿时间： | 2021/6/15 0:00:00 |
A LVTSCR with High Holding Voltage |
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| Affiliation: | School of Elec.Sci.and Engineer., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Sichuan Uptech Technol.Co., Ltd., Suining, Sichuan 629299, P.R.China;Sichuan Blue Colour Elec.Technol.Co., Ltd., Suining, Sichuan 629200, P.R.China;Sichuan Suining Lippxin Microelec.Co., Ltd., Suining, Sichuan 629200, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LVTSCR ESD high holding voltage buried layer |
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