| 一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真 |
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| 引用本文： | 易孝辉,谭开洲,张培健,魏佳男,洪敏,罗婷,徐开凯.一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真[J].微电子学,2023,53(6):965-970. |
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| 作者姓名： | 易孝辉 谭开洲 张培健 魏佳男 洪敏 罗婷 徐开凯 |
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| 作者单位： | 集成电路与微系统全国重点实验室, 重庆 401332;电子科技大学 电子薄膜与集成器件全国重点实验室, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702)；重庆市博士后特别资助项目(YBSH2103)；国家自然科学基金资助项目(62174018) |
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| 摘 要： | 基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,开展了无深槽NPN SiGe HBT工艺和器件仿真。模拟了带深P阱SiGe HBT的制备过程、常规电学特性和重离子单粒子效应。该器件与常规器件相比表现出更优的单粒子瞬态(SET)特性,在关态的SET响应峰值下降了80%,在最大特征频率工作点的SET响应峰值下降了27%,瞬态保持时间也大幅减小。使用深N阱和深P阱隔离同时抑制了集电区-衬底结的漂移载流子收集和衬底扩散载流子收集的过程,极大地提高了器件的SET性能。
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| 关 键 词： | SiGe BiCMOS SiGe HBT 单粒子瞬态 电荷收集 深P阱 |
| 收稿时间： | 2023/9/15 0:00:00 |
Simulation of SiGe HBT Process Hardening Technology for Suppressing Single Event Transient Response |
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| YI Xiaohui,TAN Kaizhou,ZHANG Peijian,WEI Jianan,HONG Min,LUO Ting,XU Kaikai.Simulation of SiGe HBT Process Hardening Technology for Suppressing Single Event Transient Response[J].Microelectronics,2023,53(6):965-970. |
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| Authors: | YI Xiaohui TAN Kaizhou ZHANG Peijian WEI Jianan HONG Min LUO Ting XU Kaikai |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of Integrated Circuits and Microsystems, Chongqing 401332, P.R.China; State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.Technol.of China, Chengdu 610054, P .R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BiCMOS SiGe HBT single event transient deep P well |
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