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石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
引用本文:杨博,陈诺夫,孔凡迪,牟潇野,陶泉丽,白一鸣,陈吉堃. 石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析[J]. 功能材料, 2016, 0(4): 4070-4073
作者姓名:杨博  陈诺夫  孔凡迪  牟潇野  陶泉丽  白一鸣  陈吉堃
作者单位:华北电力大学新能源电力国家重点实验室;常州英诺能源技术有限公司
基金项目:北京市自然科学基金资助项目(2151004);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(13ZD05)
摘    要:以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。

关 键 词:石墨  籽晶层  择优取向  退火

Preparation and properties of polycrystalline silicon thick film on graphite substrate
YANG Bo;CHEN Nuofu;KONG Fandi;MU Xiaoye;TAO Quanli;BAI Yiming;CHEN Ji. Preparation and properties of polycrystalline silicon thick film on graphite substrate[J]. Journal of Functional Materials, 2016, 0(4): 4070-4073
Authors:YANG Bo  CHEN Nuofu  KONG Fandi  MU Xiaoye  TAO Quanli  BAI Yiming  CHEN Ji
Affiliation:YANG Bo;CHEN Nuofu;KONG Fandi;MU Xiaoye;TAO Quanli;BAI Yiming;CHEN Jikun;State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources,North China Electric Power University;Changzhou YINGNUO Energy Technology Co.LTD.;
Abstract:
Keywords:
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