| Ge_(15)Ga_(10)Te_(75)薄膜的磁控溅射制备及性能的可控研究 |
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| 引用本文： | 齐磊,王国祥,李双,沈祥,徐培鹏,李军,吕业刚,戴世勋,聂秋华.Ge_(15)Ga_(10)Te_(75)薄膜的磁控溅射制备及性能的可控研究[J].功能材料,2016(4):4017-4022. |
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| 作者姓名： | 齐磊 王国祥 李双 沈祥 徐培鹏 李军 吕业刚 戴世勋 聂秋华 |
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| 作者单位： | 宁波大学高等技术研究院红外材料及器件实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61377061,61306147);浙江省公益技术研究工业资助项目(2014C31146);浙江省中青年学科带头人学术攀登资助项目(pd2013092);浙江省自然科学基金资助项目(LQ15F040002) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了Ge_(15)Ga_(10)Te_(75)薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度(200~280℃)退火后薄膜光学特性的变化。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微拉曼光谱仪、分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征,结果表明,3次不同工艺下制备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小,且均是非晶态。沉积态薄膜的短波截止波长均在1μm左右;当退火温度(Ta)大于薄膜的玻璃转化温度(Tg)时,薄膜的光学带隙(Egopt)随着退火温度的增加而逐渐减小,沉积态薄膜的光学带隙分别为1.05,1.06和1.07eV,而在280℃退火后薄膜光学带隙分别降至0.38,0.42和0.45eV,以上3次实验结果表明,不同工艺下制备的Ge_(15)Ga_(10)Te_(75)薄膜组分均匀可控,热学和光学参数较一致。
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| 关 键 词： | Ge15Ga10Te75 磁控溅射 XRD SEM 透过光谱 Raman光谱 光学带隙 |
The controllable performance of Ge15 Ga10 Te75 thin films deposited by magnetron sputtering |
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| QI Lei;WANG Guoxiang;LI Shuang;SHEN Xiang;XU Peipeng;LI Jun;LV Yegang;DAI Shixun;NIE Qiuhua.The controllable performance of Ge15 Ga10 Te75 thin films deposited by magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2016(4):4017-4022. |
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| Authors: | QI Lei;WANG Guoxiang;LI Shuang;SHEN Xiang;XU Peipeng;LI Jun;LV Yegang;DAI Shixun;NIE Qiuhua |
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| Affiliation: | QI Lei;WANG Guoxiang;LI Shuang;SHEN Xiang;XU Peipeng;LI Jun;LV Yegang;DAI Shixun;NIE Qiuhua;Laboratory of Infrared Materials and Devices,The Research Institute of Advanced Technologies,Ningbo University; |
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