| ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽 |
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| 引用本文： | 郑泽伟,范希武,郑著宏,杨宝均.ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽[J].半导体光电,1999,20(6):413-415. |
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| 作者姓名： | 郑泽伟 范希武 郑著宏 杨宝均 |
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| 作者单位： | 1. 空军气象学院,南京,211101
2. 中国科学院长春物理研究所,长春,130021 |
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| 基金项目： | 空军基础理论研究项目;KJ9801; |
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| 摘 要： | 通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。
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| 关 键 词： | 多量子阱 激子 非均匀增宽 组分涨落 |
| 修稿时间： | 1999-03-01 |
Spectrum line broadening in ZnCdTe-ZnTe multiple quantum well |
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| ZHENG Ze-wei,FAN Xi-wu,ZHENG Zhu-hong,YANG Bao-jun.Spectrum line broadening in ZnCdTe-ZnTe multiple quantum well[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(6):413-415. |
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| Authors: | ZHENG Ze-wei FAN Xi-wu ZHENG Zhu-hong YANG Bao-jun |
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| Abstract: | Based on the study of Zn x Cd 1- x Te-ZnTe multiple quantum well,we have investigated the effects of its spectrum line broadening.It is demonstrated that the compositional fluctuation is the main cause of inhomogeneous broadening,whereas the fluid-dynamics-dependent fluctuation plays a very important role in the compositional one. |
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| Keywords: | multiple quantum well exciton inhomogeneous broadening compositional fluctuation |
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