| BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试 |
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| 引用本文： | 倪学文,莫邦燹,项斌,吕志军,朱晖,宁宝俊,张录,郝一龙,金玉丰,田玉国.BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试[J].测试技术学报,2004,18(3):63-68. |
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| 作者姓名： | 倪学文 莫邦燹 项斌 吕志军 朱晖 宁宝俊 张录 郝一龙 金玉丰 田玉国 |
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| 作者单位： | 倪学文（北京大学微电子研究院,北京,100871）;莫邦燹（北京大学微电子研究院,北京,100871）;项斌（北京大学微电子研究院,北京,100871）;吕志军（北京大学微电子研究院,北京,100871）;朱晖（北京大学微电子研究院,北京,100871）;宁宝俊（北京大学微电子研究院,北京,100871）;张录（北京大学微电子研究院,北京,100871）;郝一龙（北京大学微电子研究院,北京,100871）;金玉丰（北京大学微电子研究院,北京,100871）;田玉国（北京大学微电子研究院,北京,100871） |
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| 摘 要： | 本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.
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| 关 键 词： | 差分电容采样 低通滤波 带宽调节 高精度运放 恒定增益输出 |
| 修稿时间： | 2004年4月12日 |
The Design and Test of MEMS Signal Processing Circuit |
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