污秽分布对绝缘子串温度场影响

为研究污秽分布直流绝缘子串温度变化情况，建立70 kV直流双伞型瓷绝缘子串模型，通过有限元法对绝缘子串温度场进行仿真，分析了均匀、不均匀污秽分布对绝缘子串温度变化的影响。结果表明：在均匀饱和湿污秽的条件下，各片绝缘子温度有不同幅度的上升，且随着总污秽程度的增加，绝缘子整体温升增大；当考虑绝缘子上、下表面盐密不一致时，绝缘子下表面积污对绝缘子串温升影响比上表面大，且随着绝缘子下表面污秽量的增加，绝缘子串的整体温升增大；当上、下表面盐密比从7∶1变化至1∶7时，绝缘子串的温度先升高再降低，在1∶3时达到最高温度，研究结果可为污秽监测提供参考。