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一种用于分析接触电阻对OTFT的性能影响的新方法研究
引用本文:陈金伙,胡加兴,朱云龙.一种用于分析接触电阻对OTFT的性能影响的新方法研究[J].半导体学报,2012,33(12):124005-5.
作者姓名:陈金伙  胡加兴  朱云龙
基金项目:福建省自然科学基金(2009J05146)
摘    要:一种通用的,可用于分析OTFT接触电阻对OTFT性能影响的模型具有重要意义,但这至今尚未见报道。为此本文通过引进一个关键参数Rc/Rch0 (接触电阻/通态电阻),并以模拟方法分析它与各性能参数变化率关系,从而使上述模型得到部分实现。研究中首先拓展了OTFT的Brown模型公式,接着分析了接触电阻导致的各性能参数(迁移率μ,饱和电压 VDsat等)误差变化情况。接着根据所得到结果,对关键参数Rc/Rch0重点进行了分析和论证,获得一个非常有意义的结果,在此基础上,一种估算OTFT内在接触电阻,进而修正因接触电阻导致的各性能参数误差值的方法被首次提出。实验证明该方法具有合理性。

关 键 词:OTFT  数值分析  欧姆接触  误差分析
修稿时间:9/29/2012 2:34:42 AM

A novel method to analyze the contact resistance effect on OTFTs
Chen Jinhuo,Hu Jiaxing and Zhu Yunlong.A novel method to analyze the contact resistance effect on OTFTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(12):124005-5.
Authors:Chen Jinhuo  Hu Jiaxing and Zhu Yunlong
Affiliation:School of Physics & Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China;School of Materials Science & Engineering, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China;School of Materials Science & Engineering, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China
Abstract:
Keywords:OTFT  numerical study  Ion/Ioff  ohmic contact  error analysis
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