| 钨掺杂PZN-PZT陶瓷的结构与压电性能的研究 |
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| 作者姓名： | 高峰 张昌松 王卫民 张慧君 田长生 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学材料学院,西安,710072 |
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| 基金项目： | 航空科研项目
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中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 用二次合成法制备了掺杂WO3的PZN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PZN-PZT陶瓷晶胞结构与压电性能的影响,结果表明钨掺杂促进PZN-PZT陶瓷的烧结致密化,于1100℃下形成晶界清晰,结构致密的陶瓷.钨掺杂引起晶格畸变,随着钨含量的增加,晶格常数a和c减小,四方度降低;对压电性能的研究表明随着钨含量的增加,PZN-PZT陶瓷的矫顽场Ec、自发极化强度Ps、机电耦合系数Kp和压电常数d33减小,介电常数ε和机械品质因数Qm增大,绝缘电阻率ρ先增加后减小;PZN-PZT陶瓷在WO3掺杂量为1.0%(质量分数)时具有最佳综合性能.
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| 关 键 词： | 掺杂 晶格常数 压电性能 电滞回线 |
| 文章编号： | 1001-4381(2005)01-0003-05 |
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