| 面向QWIP焦平面阵列的快照模式低温读出电路 |
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| 引用本文： | 马文龙,石寅,张耀辉,刘洪冰,谢保健. 面向QWIP焦平面阵列的快照模式低温读出电路[J]. 半导体学报, 2010, 31(2): 025012-6 |
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| 作者姓名： | 马文龙 石寅 张耀辉 刘洪冰 谢保健 |
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| 作者单位： | Institute;Semiconductors;Chinese;Academy;Sciences;Suzhou;Nano-Tech;Nano-Bionics; |
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| 摘 要： | 介绍了应用于GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面阵列的快照模式的低温读出电路的设计方法与测试结果。读出电路采用CTIA作为输入电路，提出在单元输入电路中引入内建电注入器件进行读出电路封装前测试。对读出电路的低温和低功耗进行了优化设计。基于该方法采用0.35um CMOS工艺设计制造了阵列尺寸为128×128的读出电路实验芯片。测试结果表明，读出电路能够在77K的温度下正常工作，功耗为35mW。该读出电路象元级的电荷容量为2.57×106电子，跨导系数为1.4×107Ω。分析表明，在3.3V电源电压下，当输出速率为10MHz时，实验芯片的非均匀性小于5%。
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| 关 键 词： | 量子阱红外探测器 读出电路 快照模式 低温 AlGaAs 低功耗设计 电子喷射 芯片组装 |
| 修稿时间： | 2009-09-24 |
A snap-shot mode cryogenic readout circuit for QWIP IR FPAs |
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| Ma Wenlong,Shi Yin,Zhang Yaohui,Liu Hongbing and Xie Baojian. A snap-shot mode cryogenic readout circuit for QWIP IR FPAs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(2): 025012-6 |
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| Authors: | Ma Wenlong Shi Yin Zhang Yaohui Liu Hongbing Xie Baojian |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China;Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China;Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | QWIP ROIC CTIA cryogenic transimpedance non-uniformity |
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