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InGaAsP/InP双异质结双极晶体管与1.5μm激光二极管的单片集成
引用本文:L. M. Su,朱帼才.InGaAsP/InP双异质结双极晶体管与1.5μm激光二极管的单片集成[J].微纳电子技术,1985(5).
作者姓名:L. M. Su  朱帼才
摘    要:介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区时,晶体管还能以相反方式工作。该管的主要特点是在结构方面与可作单片集成的1.5μmDH激光器相容。

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