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| PZT多层薄膜物性的研究 | |
| 引用本文： | 陶向明,谭明秋.PZT多层薄膜物性的研究[J].真空科学与技术,1996,16(2):108-116. |
| 作者姓名： | 陶向明 谭明秋 |
| 摘 要： | 对磁控溅射ＰＺＴ铁电多层薄膜进行了分析。结果表明：通过多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现，制备多层较理想的溅射条件是衬底温度Ｔ＝６５０℃，薄膜子层厚度约为３００ｎｍ，衬底则以ＭｇＯ（１００）单晶、Ｓｉ２（１００）单晶为佳。结构分析的结果显示出：ＰＺＴ以铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大， |
| 关 键 词： | 铁电 多层薄膜 锆钛酸铅 薄膜 |
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