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多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究
引用本文:李朝林.多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究[J].电子工程师,2004,30(9).
作者姓名:李朝林
摘    要:介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃~ 150℃,通用性强.

关 键 词:多晶硅电阻  压力传感器  灵敏度  温度补偿  温度系数

A Study on the Temperature Coefficient of Sensitivity Self-compensation Technology of Polysilicon Pressure Sensor
Abstract:
Keywords:
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