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| 16.5～20 GHz PHEMT单片功率放大器 | |
| 作者姓名： | 陈新宇 蒋幼泉 黄念宁 陈效建 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所, |
| 摘 要： | 采用南京电子器件研究所的 76 mm Ga As的 PHEMT单片技术 ,进行了 1 6 .5～ 2 0 GHz的 PHEMT MMIC的设计与研制。其中 PHEMT器件选用双平面掺杂 Al Ga As/In Ga As/Ga As PHEMT异质结结构 ,0 .5μm栅长的 76 mm Ga As工艺制作。在 MMIC设计中 ,准确的器件模型是设计 Ku波段单片的关键。为了保证单片研制的成功 ,利用 Agilent软件进行了 PHEMT器件模型的提取。模型可直接应用于 HP- EESOF Libra软件中 ,进行线性和非线性分析。PHEMT单片放大器采用三级有耗匹配放大器拓扑 ,输入和输出端口匹配至 50 Ω,CPW形式引… |
| 关 键 词： | 功率放大器 单片集成电路 PHEMT |
| 修稿时间： | 2001-04-09 |
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