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| 基于0.18μm CMOS工艺、适于WCDMA的低噪声放大器设计 | |
| 引用本文： | 于沈华.基于0.18μm CMOS工艺、适于WCDMA的低噪声放大器设计[J].硅谷,2009(17). |
| 作者姓名： | 于沈华 |
| 作者单位： | 洛阳市劳动就业培训中心,河南,洛阳,471000 |
| 摘 要： | 介绍在功耗约束条件下低噪声放大器最小噪声系数的一种设计和优化方法。该放大器通过0.18um CMOS工艺设计实现,其工作频率为2.14GHz。仿真结果表明,在输入输出匹配到50欧姆,电源电压取1.8伏情况下,直流工作电流为5.36毫安,噪声系数为0.655dB,增益为16.64dB,P-1dB为-12dBm,IIP3为6dBm。版图面积为0.37mm*0.58mm。 |
| 关 键 词： | CMOS RFIC 低噪声放大器 噪声系数 线性度 |
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