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衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响
引用本文:高扬,许绍俊,谌青青,孟祥钦,杨涛,文忠,张彩虹,杨成韬.衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响[J].压电与声光,2012,34(5):753-755.
作者姓名:高扬  许绍俊  谌青青  孟祥钦  杨涛  文忠  张彩虹  杨成韬
作者单位:1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054
2. 川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院,四川成都,610054
基金项目:总装预研基金资助项目(5141202)
摘    要:采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征.结果表明,在一定湿度范围内(450~650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速率增大,表面粗糙度先减小后增大;AlN(002)择优取向呈改善趋势,取向度先增大后减小,600℃时达到最佳.

关 键 词:AlN/ZnO复合薄膜  磁控溅射  衬底温度  结构  形貌

Influence of Substrate Temperature on Crystal Morphology of AlN/ZnO Compound Thin Films
GAO Yang,XU Shaojun,CHEN Qingqing,MENG Xiangqin,YANG Tao,WEN Zhong,ZHANG Caihong and YANG Chengtao.Influence of Substrate Temperature on Crystal Morphology of AlN/ZnO Compound Thin Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2012,34(5):753-755.
Authors:GAO Yang  XU Shaojun  CHEN Qingqing  MENG Xiangqin  YANG Tao  WEN Zhong  ZHANG Caihong and YANG Chengtao
Affiliation:1(1.State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;2.Geological Exploration & Development Research Institute of CNPC Chuanqing Drilling Engineering Company Limited,Chengdu 610054,China)
Abstract:
Keywords:AlN compound thin films  magnetron sputtering  substrate temperature  structure  morphology
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