| 408nm InGaN/GaN LED的材料生长及器件光学特性 |
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| 引用本文： | 王晓华,展望,刘国军.408nm InGaN/GaN LED的材料生长及器件光学特性[J].半导体学报,2007,28(1):104-107. |
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| 作者姓名： | 王晓华 展望 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 摘 要： | 通过提高InGaN量子阱结构的生长温度,降低量子阱In组分的掺入效率,提高InGaN/GaN量子阱结构生长质量,缩短LED输出波长等手段,实现了紫光LED高效率输出.采用高分辨率X射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/GaN多量子阱的结构和光学特性.封装后的300μm×300μm LED器件在20mA的注入电流下输出功率为5.2mW,输出波长为408nm.
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| 关 键 词： | 量子阱 GaN LED |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)01-0104-04 |
| 修稿时间： | 8/29/2006 1:26:33 PM |
Growth and Optical Characteristics of 408nm InGaN/GaN MQW LED |
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| Wang Xiaohu,Zhan Wang and Liu Guojun.Growth and Optical Characteristics of 408nm InGaN/GaN MQW LED[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1):104-107. |
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| Authors: | Wang Xiaohu Zhan Wang and Liu Guojun |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well GaN LED |
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