| 流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运 |
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| 引用本文： | 武建青,刘振兴,江德生,孙宝权.流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运[J].半导体学报,1999,20(4):303-308. |
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| 作者姓名： | 武建青 刘振兴 江德生 孙宝权 |
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| 作者单位： | [1]半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
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| 摘 要： | 我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子能级降至ＥΓ１子能级和ＥΓ２子能级中间或更低能量位置时，未观察到Γ－Γ共振隧穿到Γ－Ｘ共振隧穿的转变，Ｉ－Ｖ曲线上的平台并未随压力增大而收缩，反而稍有变宽．同时，平台电流随压力增大而增加，直到与ＥΓ１－ＥΓ１共振峰电流相当．我们认为，由于垒层很薄，Γ电子隧穿通过垒层的几率很高，ＥΓ１－ＥΓ１共振峰显著高于ＥΓ１－Ｅｘ１共振峰，因此，高场畴区内的输运机
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| 关 键 词： | 砷化镓 砷化铝 超晶格 低温纵向输送 |
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