不同源阻抗8/20μs脉冲电流下MOV老化特性的实验研究 |
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引用本文: | 杜志航,鲁斌.不同源阻抗8/20μs脉冲电流下MOV老化特性的实验研究[J].华东电力,2014,42(6):1202-1208. |
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作者姓名: | 杜志航 鲁斌 |
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作者单位: | 上海电力设计院有限公司,上海,200025 |
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摘 要: | 为研究不同源阻抗的8/20μs脉冲电流对MOV(Metal Oxide Varistors)类限压型SPD(Surge Protective Device)试品性能的影响,依据IEC 61643-1:2005,利用经过计量的Haefely psurge 30.2和ICGS两种源阻抗相差较大的脉冲发生器对MOV型SPD进行测试。试验分析发现:MOV的静态、冲击、介电等特性与源阻抗有密切关系,源阻抗越大,MOV输出的残压越大,漏电流、压敏电压、介电特性老化的速度越快,对MOV劣化考验越严酷;在脉冲电流冲击下MOV动作时,冲击电流的能量和波头上升时间误差对MOV残压的贡献不大,而主要受MOV动作前的阶跃电压波陡度的影响;MOV在经受大规模冲击后老化的过程中,其通流能力(Im1、Im2/Im1、T2/T1等)变化很小,不能反映试品的老化程度;MOV的介质损耗角正切值在105Hz左右会出现"弥散区",随着测试次数的增加,弥散区逐渐消失;漏电流的变化趋势能用高斯公式来表征,指数部分的b1/(c1)2、b2/(c2)2能反应漏电流随源阻抗而变化的规律。
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关 键 词: | 源阻抗 冲击测试 阶跃电压波 静态参数 介电特性 高斯拟合 |
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