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| 金在Si_2O/Si界面处负电荷效应的实验研究 | |
| 引用本文： | 李思渊,李寿嵩,张秀文,杨映虎,裘惠芳,田仁杰,马莉莉,郑秩,孟益民,柳南辉.金在Si_2O/Si界面处负电荷效应的实验研究[J].半导体技术,1981(2). |
| 作者姓名： | 李思渊 李寿嵩 张秀文 杨映虎 裘惠芳 田仁杰 马莉莉 郑秩 孟益民 柳南辉 |
| 作者单位： | 兰州大学 (李思渊，李寿嵩，张秀文，杨映虎，裘惠芳，田仁杰，马莉莉，郑秩，孟益民)，兰州大学(柳南辉) |
| 摘 要： | 实验表明,SiO_2/Si体系扩金以后,其MOS结构的C-V曲线,明显的向正压方向平行移动,显示了扩金引入的负电荷效应。变化的一般情况如图1所示。为了观察该效应随热处理条件的变化,进而取得对其作用机制的认识,我们在不同气氛(氮、氢、氯)不同温度和不同时间下,对金界面电荷的变化进行了实验考察。 一、实验 MOS电容器样品是由电阻率为9.1～13Ω·cm的直拉P型Si单晶制成的。位错密度不超过300/cm~2。垂直于<111>且向<110>偏3°切片。 |
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