| 大功率LED高低温特性 |
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| 引用本文： | 郭伟玲,贾学娇,尹飞,崔碧峰,高伟,刘莹,闫薇薇.大功率LED高低温特性[J].半导体学报,2011,32(4):044007-3. |
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| 作者姓名： | 郭伟玲 贾学娇 尹飞 崔碧峰 高伟 刘莹 闫薇薇 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京工业大学光电子技术实验室,北京工业大学光电子技术实验室,北京工业大学光电子技术实验室,北京工业大学光电子技术实验室,北京工业大学光电子技术实验室 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 在线测量了从－30至100度InGaN和AlGaInP大功率LED的各参数，拟合了两种LED正向压降、相对光强、波长、谱宽和温度的曲线，分析了两种LED参数变化的原因和这些变化对应用的影响。温度对大功率LED的性能和应用都有很大影响，低温时，应考虑正向压降的增大和波长的蓝移，高温时，应考虑光强的下降和波长的红移
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| 关 键 词： | 高功率LED 高低温 特性 氮化铟镓 测量温度 性能变化 波长蓝移 峰值波长 |
Characteristics of high power LEDs at high and low temperature |
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| Guo Weling,Jia Xuejiao,Yin Fei,Cui Bifeng,Gao Wei,Liu Ying and Yan Weiwei.Characteristics of high power LEDs at high and low temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(4):044007-3. |
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| Authors: | Guo Weling Jia Xuejiao Yin Fei Cui Bifeng Gao Wei Liu Ying and Yan Weiwei |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power LEDs low temperature forward voltage peak wavelength |
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