| GaP薄膜的制备与性能研究 |
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| 引用本文： | 宋建全,刘正堂,郭大刚,耿东生,郑修麟. GaP薄膜的制备与性能研究[J]. 材料工程, 2001, 0(10): 27-30 |
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| 作者姓名： | 宋建全 刘正堂 郭大刚 耿东生 郑修麟 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,;西北工业大学,;西北工业大学,;西北工业大学,;西北工业大学, |
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| 基金项目： | 航空基础科学基金,98G53104, |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究。结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构。设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5um波段对ZnS衬底具有明显的增透效果。制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能。
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| 关 键 词： | GaP薄膜 射频磁控溅射 增透保护膜系 |
| 文章编号： | 1001-4381(2001)10-0027-04 |
| 修稿时间： | 2000-12-06 |
Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films |
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| SONG Jian quan,LIU Zheng tang,GUO Da gang,GENG Dong sheng,ZHENG Xiu lin. Preparation and Properties of Gallium Phosphide Films[J]. Journal of Materials Engineering, 2001, 0(10): 27-30 |
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| Authors: | SONG Jian quan LIU Zheng tang GUO Da gang GENG Dong sheng ZHENG Xiu lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gallium phosphide films magnetron sputtering antireflective and protective films |
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