|
|||||
|
|
| PLZT陶瓷的晶界现象 | |
| 作者姓名： | 祝炳和 赵梅瑜 姚尧 郑鑫森 敖海宽 殷之文 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 利用显微技术,研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片, 利用十字形电极, 观察在电场作用下, 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象,如： 晶界平滑区, 晶界区的电光性, “壳－芯”结构, 析出物在晶界区的沉积, 电畴在该区的成核和生长, 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区, 对上述现象起重要作用 |
| 关 键 词： | 功能陶瓷 晶界 电畴 PLZT |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |