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| SiCl4冷氢化反应器床层密度的计算 | |
| 引用本文： | 杨楠,李寿琴,程茂林,陈绍林,贾琳蔚,甘居富.SiCl4冷氢化反应器床层密度的计算[J].四川化工,2020,23(2). |
| 作者姓名： | 杨楠 李寿琴 程茂林 陈绍林 贾琳蔚 甘居富 |
| 作者单位： | 四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800;四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800;四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800;四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800;四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800;四川永祥股份有限公司,四川乐山,614800 |
| 摘 要： | 通过理论计算临界流化速度u_(mf)和床层空隙率ε_e,得到SiCl_4冷氢化流化床反应器在不同粒径d_p和表观气速u_e条件下的床层密度ρ。床层密度随着硅粉粒径增大而增大,随着表观气速增大而减小。通过实际测量一定高度床层间的压降得到实际床层密度,与理论计算值对比二者吻合性较好,冷氢化反应器的床层密度沿高度方向变化较小。 |
| 关 键 词： | SiCl4 冷氢化 流化床 床层密度 |
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