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MBR-RO组合工艺处理半导体废水中RO膜的污染特性研究
引用本文:肖燕,陈彤,胡永健,王德山,韩永萍,王晓琳.MBR-RO组合工艺处理半导体废水中RO膜的污染特性研究[J].水处理技术,2013,39(4):53-58.
作者姓名:肖燕  陈彤  胡永健  王德山  韩永萍  王晓琳
作者单位:1. 清华大学化学工程系,膜材料与工程北京市重点实验室,100084,北京
2. 北京赛诺水务科技有限公司,100083,北京
3. 清华大学化学工程系,膜材料与工程北京市重点实验室,100084,北京;北京联合大学生物工程学院,100023,北京
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973)项目,国家高技术研究发展计划(863)项目,北京市自然科学基金重大项目
摘    要:采用反渗透(RO)深度处理经膜生物反应器(MBR)预处理后的半导体废水。为获得RO长期运行的膜污染特性和清洗对策,处理过程不添加阻垢剂且不采用化学清洗从而加速RO膜污染。膜污染分析表明,RO膜表面污染层的主体物质为疏松堆积的片状无机结垢,未发现明显的微生物群落或有机污染形成的凝胶层。污染层的主要成分为难溶盐BaSO4,其次为SrSO4以及Ca、Si、Al、Mg、Fe和Zn等形成的沉积物,其中Ba、Sr、Ca、Mg和Zn在RO膜元件进口端的含量明显大于出口端。化学清洗结果表明,先采用HCl再采用EDTA-4Na的组合清洗方法,可有效去除RO膜表面的污染层,清洗后RO膜通量可恢复至初始值。

关 键 词:半导体废水  回用  MBR  RO  污染特性

FOULING CHARACTERISTICS OF RO MEMBRANE IN THE SEMICONDUCTOR WASTEWATER RECLAMATION BY USING MBR-RO PROCESS
Xiao Yan , Chen Tong , Hu Yongjian , Wang Deshan , Han Yongping , Wang Xiaolin.FOULING CHARACTERISTICS OF RO MEMBRANE IN THE SEMICONDUCTOR WASTEWATER RECLAMATION BY USING MBR-RO PROCESS[J].Technology of Water Treatment,2013,39(4):53-58.
Authors:Xiao Yan  Chen Tong  Hu Yongjian  Wang Deshan  Han Yongping  Wang Xiaolin
Affiliation:1(1.Beijing Key Laboratory of Membrane Materials and Engineering,Department of Chemical Engineering,Tsinghua University,100084;2.Beijing Scinor Water Technology Co.Ltd.,100083;3.Biochemical Engineering College,Beijing Union University,100023: Beijing,China)
Abstract:
Keywords:
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