|
|||||
|
|
| 填充铁氧体介质的腔基微带天线输入阻抗的计算分析 | |
| 引用本文： | 班永灵,周乐柱,聂在平.填充铁氧体介质的腔基微带天线输入阻抗的计算分析[J].电波科学学报,2004,19(Z1):76-79. |
| 作者姓名： | 班永灵 周乐柱 聂在平 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学电子工程学院,四川,成都,610054 2. 北京大学信息科学技术学院,北京,100871 |
| 摘 要： | 采用矢量有限元--边界积分法(VFEM/BI),对填充铁氧体材料的腔基微带天线的输入阻抗进行了详细的计算及分析.针对不同的偏置场H0方向,通过改变偏置场H0的强度及饱和磁化强度4πMs,分析了这种天线的输入阻抗的频率变化特征.结果表明,偏置场强度和饱和磁化强度可以对输入阻抗和谐振频率产生影响,但对于不同的偏置场方向,其影响是不相同的.可以通过改变偏置磁场的方向和强度来实现天线输入阻抗和谐振频率的变化. |
| 关 键 词： | 微带天线 铁氧体 有限元 输入阻抗 谐振频率 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |