| 多层金属化中的钨插塞技术 |
| |
| 引用本文： | 李红征,谢一强.多层金属化中的钨插塞技术[J].微电子技术,2003,31(1):13-15. |
| |
| 作者姓名： | 李红征 谢一强 |
| |
| 作者单位： | 信息产业部电子58所,无锡,214035 |
| |
| 摘 要： | 本文介绍了亚微米ULSI工艺中，采用钨插塞（Tungsten Plug)制作接触孔与通孔的技术，对于WCVD、W Etchback及其常见工艺问题作了一些分析，此项技术已经用于C05电路的工艺流片。
|
| 关 键 词： | 多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 WCVD 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路 |
| 文章编号： | 1008-0147(2003)01-13-03 |
| 修稿时间： | 2002年7月15日 |
Technology of Tungsten Plug in Multi - layer Metallization |
| |
| LI Hong-zheng,XIE Yi-qiang.Technology of Tungsten Plug in Multi - layer Metallization[J].Microelectronic Technology,2003,31(1):13-15. |
| |
| Authors: | LI Hong-zheng XIE Yi-qiang |
| |
| Abstract: | The technology of tubgsten plug to make contacts and via holes in sub-micron processing of ULSI is introduced in the paper. Analysis has been developed for WCVD; Wetch-back; and some problems usually found in processing. The technology has been used in IC production of C05. |
| |
| Keywords: | Tungsten plug Step coverage Blanket WCVD W Etch-back Glue layer |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
