| GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟 |
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| 引用本文： | 李德春,赵圣之,唐文婧,李桂秋,杨克建.GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟[J].红外与激光工程,2011,40(5):822-825. |
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| 作者姓名： | 李德春 赵圣之 唐文婧 李桂秋 杨克建 |
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| 作者单位： | 山东大学信息科学与工程学院,山东济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山东省博士后创新项目专项资金，中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究.用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间隙、砷间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知...
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| 关 键 词： | EL2缺陷 形成能 缺陷能级 态密度 |
First principle calculation and simulation of the native point defects in GaAs saturable absorbers |
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| Li Dechun,Zhao Shengzhi,Tang Wenjing,Li Guiqiu,Yang Kejian.First principle calculation and simulation of the native point defects in GaAs saturable absorbers[J].Infrared and Laser Engineering,2011,40(5):822-825. |
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| Authors: | Li Dechun Zhao Shengzhi Tang Wenjing Li Guiqiu Yang Kejian |
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