| 修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能 |
| |
| 引用本文： | 郑华靖,蒋亚东,徐建华,杨亚杰.修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能[J].功能材料,2010,41(9). |
| |
| 作者姓名： | 郑华靖 蒋亚东 徐建华 杨亚杰 |
| |
| 摘 要： | 采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构。
|
| 关 键 词： | PEDOT LB膜法 光电性能 测量 |
Photoelectric properties of PEDOT prepared through a modified LB film method |
| |
| ZHENG Hua-jing,JIANG Ya-dong,XU Jian-hua,YANG Ya-jie.Photoelectric properties of PEDOT prepared through a modified LB film method[J].Journal of Functional Materials,2010,41(9). |
| |
| Authors: | ZHENG Hua-jing JIANG Ya-dong XU Jian-hua YANG Ya-jie |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
