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HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析
作者姓名:曾戈虹 孙娟
摘    要:
对HgCdTe光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生p-n结模型,并以此模型为基点,结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。

关 键 词:光伏器件 寄生p-n结 伏安特性
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