| 光伏法研究掺金硅特性 |
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| 引用本文： | 朱文章,沈顗华,刘士毅. 光伏法研究掺金硅特性[J]. 电子学报, 1995, 23(2): 44-48 |
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| 作者姓名： | 朱文章 沈顗华 刘士毅 |
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| 作者单位： | 厦门集美航海学院物理室，厦门大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０~（１２）～６．６２×１０~（１５）ｃｍ~（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。
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| 关 键 词： | 掺金硅 少子寿命 光伏 深能级 |
Study on Properties of Au-Doped Silicon by Photovoltaic Method |
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| Zhu Wenzhang. Study on Properties of Au-Doped Silicon by Photovoltaic Method[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, 23(2): 44-48 |
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| Authors: | Zhu Wenzhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Au-doped silicon Minority carrier lifetime Photovoltage.Deep level |
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