| 高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 |
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| 作者姓名： | 刘迪 宁永强 张金龙 张星 王立军 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院大学 北京,中国,100049;2.中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.60876036; No.51172225; No.61106068) |
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| 摘 要： | 为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 InGaAs/GaAsP应变量子阱 |
| 收稿时间： | 2012-05-11 |
| 修稿时间： | 2012-06-15 |
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